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询价产品信息
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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HEXFET®
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Product Status
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在售
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FET 类型
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P 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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20 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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3.7A（Ta）
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驱动电压（ 大 Rds On， 小 Rds On）
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2.5V，4.5V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（ 大值）
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65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
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不同 Id 时 Vgs(th)（ 大值）
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1.2V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（ 大值）
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12 nC @ 5 V
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Vgs（ 大值）
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±12V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（ 大值）
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633 pF @ 10 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（ 大值）
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1.3W（Ta）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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Micro3™/SOT-23
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封装/外壳
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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基本产品编号
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IRLML6402
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