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询价相关产品
产品信息
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FET 类型
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P 通道
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电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
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30 V
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漏源电压（Vdss）
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30 V
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不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
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1.5 mA @ 15 V
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不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
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800 mV @ 10 nA
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（ 大值）
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8pF @ 10V（VGS）
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电阻 - RDS(On)
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300 Ohms
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功率 - 大值
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300 mW
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工作温度
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150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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供应商器件封装
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SOT-23（TO-236AB）
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基本产品编号
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PMBFJ1
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